|
Научен доклад ID 2031 : 2020/3
ИЗБОР НА ТРАНЗИСТОРИ ЗА КЛЮЧОВ ЕЛЕМЕНТ В РЕГУЛАТОР НА ЕЛЕКТРОДВИГАТЕЛ (SI MOSFET, SIC MOSFET) OT ГЛЕДНА ТОЧКА НА ЕНЕРГИЙНАТА ЕФЕКТИВНОСТ
Ярослав Стефанов, Иван Миленов В доклада се разглежда избора на транзистори за регулатор на мотор от гледна точка на параметрите които подобряват работата му. Сравнени са параметрите на SI MOSFET и SIC MOSFET и влиянието им върху качествата на инвертора. Разгледани са загубите на мощност от проводимост P_con и при превключване P_sw, както и зависимостта им съответно от съпротивлението във включено състояние R_(ds(on)) и входният и изходният капацитети C_iss C_oss на транзисторите. Виждат се предимствата на използуването на SIC MOSFET транзистори в инвертори за електромобили – намаляване размерите и теглото им, намаляване на консумацията и увеличаване на пробега. По-високите температурни граници на SIC транзистори им дават предимство при използуването им в инвертори на електромобили. Високата честота на превключване намалява загубите от разсейвана топлинна мощност и увеличава енергийната ефективност на инверторите използуващи SIC транзистори. По-малките загуби на мощност намаляват отделената топлинна мощност и позволяват намаляването на размерите на радиаторите на ключовите елементи и по този начин увеличаване на плътността на монтажа и намаляване обема и теглото на инверторите използващи транзистори на силициев карбид.
Transistors MOSFET Si SiCTransistors MOSFET Si SiCЯрослав Стефанов Иван Миленов BIBLIOGRAPHY [1] Skinner Dave Improving energy efficieniy in industrial applications with silicon carbide, CREE 2019. [2] Xiaofeng Ding, Min Du, Tong Zhou, Hong Guo, Chengming Zhang, Feida Chen Comprehensive comparison between sic-mosfets and si-igbt based electric vehicle traction systems under low speed and light load, CUE2015App1ied energy symposium and summit 2015: Low carbon cities and urban energy systems. [3] Stefanov Yaroslav, Milenov Ivan. Sravnenie i otsenka na parametrite na MOSFET tranzistori na silitsiev karbid i silitsiy, XXIV Mezhdunarodna nauchna konferentsiya “Transport 2019”, Borovets, hotel “Samokov”, 3-5 oktomvri 2019 g. ( [3] Стефанов Ярослав, Миленов Иван. Сравнение и оценка на параметрите на MOSFET транзистори на силициев карбид и силиций, XXIV Международна научна конференция “Транспорт 2019”, Боровец, хотел “Самоков”, 3-5 октомври 2019 г. ) [4] IXIS Corporation 2008, IXFK52N100X Preliminary Technical Information [5] CREE Inc. 2014, C2M0025120D Silicon Carbide Power MOSFET |