Научен доклад ID 2031 : 2020/3
ИЗБОР НА ТРАНЗИСТОРИ ЗА КЛЮЧОВ ЕЛЕМЕНТ В РЕГУЛАТОР НА ЕЛЕКТРОДВИГАТЕЛ (SI MOSFET, SIC MOSFET) OT ГЛЕДНА ТОЧКА НА ЕНЕРГИЙНАТА ЕФЕКТИВНОСТ

Ярослав Стефанов, Иван Миленов

В доклада се разглежда избора на транзистори за регулатор на мотор от гледна точка на параметрите които подобряват работата му. Сравнени са параметрите на SI MOSFET и SIC MOSFET и влиянието им върху качествата на инвертора. Разгледани са загубите на мощност от проводимост P_con и при превключване P_sw, както и зависимостта им съответно от съпротивлението във включено състояние R_(ds(on)) и входният и изходният капацитети C_iss C_oss на транзисторите. Виждат се предимствата на използуването на SIC MOSFET транзистори в инвертори за електромобили – намаляване размерите и теглото им, намаляване на консумацията и увеличаване на пробега. По-високите температурни граници на SIC транзистори им дават предимство при използуването им в инвертори на електромобили. Високата честота на превключване намалява загубите от разсейвана топлинна мощност и увеличава енергийната ефективност на инверторите използуващи SIC транзистори. По-малките загуби на мощност намаляват отделената топлинна мощност и позволяват намаляването на размерите на радиаторите на ключовите елементи и по този начин увеличаване на плътността на монтажа и намаляване обема и теглото на инверторите използващи транзистори на силициев карбид.


Transistors MOSFET Si SiCTransistors MOSFET Si SiCЯрослав Стефанов Иван Миленов

BIBLIOGRAPHY

[1] Skinner Dave Improving energy efficieniy in industrial applications with silicon carbide, CREE 2019.

[2] Xiaofeng Ding, Min Du, Tong Zhou, Hong Guo, Chengming Zhang, Feida Chen Comprehensive comparison between sic-mosfets and si-igbt based electric vehicle traction systems under low speed and light load, CUE2015App1ied energy symposium and summit 2015: Low carbon cities and urban energy systems.

[3] Stefanov Yaroslav, Milenov Ivan. Sravnenie i otsenka na parametrite na MOSFET tranzistori na silitsiev karbid i silitsiy, XXIV Mezhdunarodna nauchna konferentsiya “Transport 2019”, Borovets, hotel “Samokov”, 3-5 oktomvri 2019 g.
( [3] Стефанов Ярослав, Миленов Иван. Сравнение и оценка на параметрите на MOSFET транзистори на силициев карбид и силиций, XXIV Международна научна конференция “Транспорт 2019”, Боровец, хотел “Самоков”, 3-5 октомври 2019 г. )

[4] IXIS Corporation 2008, IXFK52N100X Preliminary Technical Information

[5] CREE Inc. 2014, C2M0025120D Silicon Carbide Power MOSFET

 

 

 

Този сайт използва "бисквитки", които са необходими за правилното функциониране на сайта. Чрез тях ние Ви осигуряваме максимално потребителско преживяване.

Приемам всички бисквитки
Политика за бисквитките