Научен доклад ID 1894 : 2019/3

В доклада са изследвани и сравнени параметрите на сравнително новите MOSFET транзистори, произведени на основата на силициев карбид (SIC) и конвенционалните силициеви (SI) MOSFET. Направена е оценка на качествата на новите прибори на силициев карбид и предимствата им при евентуално приложение в различни устройства. Благодарение на по-широката забранена зона на SIC в сравнение с тази на SI и по ниското съпротивление във включено състояние, транзисторите на SIC имат редица предимства пред тези на SI, като например по-малки загуби на мощност в режим на превключване и по-ниска температура на прехода при работа. Последното означава че SIC MOSFET се нуждаят от по-малка площ на радиатора при една и съща мощност на товара което предполага по-голяма компактност на устройствата и също по-малко тегло. Разгледани са различни приложения на транзисторите на SIC.