|
Научный доклад ID 1894 : 2019/3
СРАВНЕНИЕ И ОЦЕНКА НА ПАРАМЕТРИТЕ НА MOSFET ТРАНЗИСТОРИ НА СИЛИЦИЕВ КАРБИД И СИЛИЦИЙ
Ярослав Стефанов, Иван Миленов В доклада са изследвани и сравнени параметрите на сравнително новите MOSFET транзистори, произведени на основата на силициев карбид (SIC) и конвенционалните силициеви (SI) MOSFET. Направена е оценка на качествата на новите прибори на силициев карбид и предимствата им при евентуално приложение в различни устройства. Благодарение на по-широката забранена зона на SIC в сравнение с тази на SI и по ниското съпротивление във включено състояние, транзисторите на SIC имат редица предимства пред тези на SI, като например по-малки загуби на мощност в режим на превключване и по-ниска температура на прехода при работа. Последното означава че SIC MOSFET се нуждаят от по-малка площ на радиатора при една и съща мощност на товара което предполага по-голяма компактност на устройствата и също по-малко тегло. Разгледани са различни приложения на транзисторите на SIC.
транзистори MOSFET Si SiCtransistors MOSFET SIC SIЯрослав Стефанов Иван Миленов BIBLIOGRAPHY [1] Kazimierczuk Marian K.Pulse-with modulated DC-DC Power converters ,second edition ,2016 John Wiley &sons, Ltd [2] Barkhordarian Vrej,Power MOSFET basics,International Rectifire,El Segundo,Ca [3] Vachkov P.,D.Ivanov Moshtni MOS tranzistori,Tehnika ,Sofiya 1990 ( [3] Вачков П.,Д.Иванов Мощни MOS транзистори,Техника ,София 1990 ) [4] Hazra Samir,Ankan De , Lin Cheng,John Palmour,Marcelo Shupbach,Bred Hull,Scott Allen,Subhashish Bhattacharya, High Switching Performans of 1700V, 50A SiC Power MOSFET over Si IGBT/BiMOSFET for Advenced Power Conversion Aplications, IEEE Transactions on Power Electronics, july 2016. [5] CREE E3M0065090D Silicon Carbide Power MOSFET E-series Automotive [6] Infineon IPW90R120C3 CoolMOS Power Transistor [6]Rabkowski Jacek,Dimosthenis Peftitsis,Hans-Peter Nee, Silicon Carbide Power Transistors, IEEE Industrial Electronics Magazine, june 2012 |